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可控硅的圖像結構和4大優(yōu)點

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2020-02-12    瀏覽量:載入中...

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。

 

在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。


可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。

 


可控硅的優(yōu)點:

1.以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;

2.反應極快,在微秒級內開通、關斷;

3.無觸點運行,無火花、無噪音;

4.效率高,成本低等等。

 

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。

 

可控硅元件的結構:

不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。




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