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   在無功功率電容補(bǔ)償中，總歸是離不開電容投切元件的。至于為何現(xiàn)在更多的人愿意選擇晶閘管（可控硅）投切開關(guān)的原因，我們用接觸器來做個(gè)比較會(huì)更容易理解。

1、接觸器的投切特點(diǎn)

 接觸器投切過程中，電容器的初始電壓為零，觸點(diǎn)閉合瞬間，絕大多數(shù)情況下電網(wǎng)電壓不為零、有事可能處在高峰值，（極少為零），因而產(chǎn)生非常的電流，也就是常說的合閘涌流。實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時(shí)可達(dá)電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的使用壽命，而且對(duì)電網(wǎng)造成沖擊，影響其它設(shè)備的正常工作。 因此，后來采用加入限流電阻來控制合閘涌流即：電容投切專用接觸器。這雖然可以控制涌流在額定電流的20倍以內(nèi)，但從長期運(yùn)行情況來看，其事故率仍然很高，維護(hù)費(fèi)用較高。

2. 晶閘管開關(guān)投切特點(diǎn)

 晶閘管投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零出發(fā)電路，，檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號(hào)，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。

晶閘管開關(guān)特點(diǎn)：

1）反應(yīng)時(shí)間快：10毫秒以內(nèi)

2）使能控制：dvdt>5000V/Us無誤導(dǎo)通

3）導(dǎo)通電壓低：低于8V（常規(guī)30V）

4）無浪涌、無觸點(diǎn)、使用壽命長、免維護(hù)

晶閘管開關(guān)時(shí)波形圖如下：

 

3. 用可控硅代替交流接觸器
      通過對(duì)兩者的分別介紹我們可以知道，盡管交流接觸器制造技術(shù)和結(jié)構(gòu)不斷地更新?lián)Q代，但主觸點(diǎn)的打弧損壞問題仍沒有得到徹底解決，特別是頻繁開停車的設(shè)備，交流接觸器觸點(diǎn)打弧損壞危害極大。為此，利用可控硅新技術(shù)代替這種動(dòng)合動(dòng)斷式的交流接觸器，效果顯著。

可控硅在變流技術(shù)上應(yīng)用極為普遍。用可控硅代替交流接觸器的基本思維方法是利用可控硅單向?qū)щ姷奶匦?，?shí)現(xiàn)交流通斷控制。

1. 對(duì)主回路而言，這種控制方式是一種軟通斷方式，它可成功地解決觸點(diǎn)打弧問題，同時(shí)也消除了噪音問題，幾乎可以做到免維護(hù)。

2. 對(duì)于可控硅的選擇無特殊要求，一般情況下，額定電流取電動(dòng)機(jī)的額定電流的2～3倍，電壓取800V以上即可。為了保護(hù)可控硅，可采用RC阻容吸收電路，并聯(lián)在可控硅上，同時(shí)應(yīng)注意可控硅的散熱問題。
      3. 該控制方式，因沒有采用移相控制技術(shù)，對(duì)電網(wǎng)基本上沒有污染。如果采用移相控制技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)設(shè)備的軟啟動(dòng)，從而減少對(duì)設(shè)備和電網(wǎng)的沖擊。

 好啦，對(duì)于兩種投切方式的介紹就掉這里了，請(qǐng)根據(jù)自身實(shí)際情況選擇更加適合您的開關(guān)哦~~但需注意的是，無論是那種開關(guān)，在檢修時(shí)切記將主電源切斷，安全才是第一生產(chǎn)力，請(qǐng)將安全第一放心間。