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低壓無功補(bǔ)償裝置頻繁投切損壞電容器

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-05-07    瀏覽量:載入中...

       在低壓配電網(wǎng)絡(luò)中,運(yùn)行著大量的感性無功負(fù)荷需要進(jìn)行補(bǔ)償,否則,將使網(wǎng)絡(luò)損耗增加,電壓質(zhì)量惡化。為了提高供用電質(zhì)量,降低線損與節(jié)能,以及充分利用設(shè)備的容量,以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件,接觸器為投切開關(guān)的低壓電容無功補(bǔ)償裝置得到廣泛的應(yīng)用。這些裝置一般是將電容器分為若干組。根據(jù)控制物理量的變化,進(jìn)行電容器的投切。但是,若無功負(fù)荷經(jīng)常波動變化,而裝置又需要將cosφ控制在較高水平時,電容器的投切,往往就比較頻繁,從而可能給電容器造成危害,使其早期損壞。

三點(diǎn)建議
       1、以接觸器為投切開關(guān)的低壓電容無功補(bǔ)償裝置,不宜頻繁進(jìn)行電容器的投切。否則, 投切時所產(chǎn)生的過電壓和沖擊電流將對自愈式電容器造成危害,使容量下降,tgδ增大 及絕緣老化加速等,最終使電容器早期損壞。
       2、建議適當(dāng)延長投切時間間隔,實(shí)行循環(huán)投切,減少投切次數(shù),使這滿足GB/12747-1991的有關(guān)要求。
       3、為限制沖擊電流對噴金層與金屬化層接觸質(zhì)量的損害,必須采取相應(yīng)的技術(shù)措施,如串入小電感或采用專用接觸器等,建議將沖擊電流的峰值限制在20In以內(nèi)。


晶閘管投切模塊(三相)

       希拓電氣晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護(hù)電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實(shí)現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。

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